本文摘要:EOS英语全称ElectricalOverStress是所有过度电变形的总称。

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EOS英语全称ElectricalOverStress是所有过度电变形的总称。EOS是继无限制登录后第二大的情况下,设备功能不会减弱或损坏,EOS也是通常被认为是IC设备的头号刺客。

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由于产品的研发、测试、生产、储存、运输的所有环节都有可能再次发生,因此制造商对电路设计、测试规范、生产过程和物流的防水每年要花费整个半导体行业数十亿美元。更可恨的是,EOS的复发简单,神出鬼没,寻求极端的解决方案,至今仍在学术界和工业界留后。本文的目的是分析EOS的原因、特性、破坏力以及对芯片制造商和系统设计师的约束。

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EOS是一个非常广泛的概念,可以认为是物理上长时间的低压、高电流的能量脉冲(通常电压为100伏,电流小于10A,小于1毫秒的复发时间)。为了更好地说明EOS的特性,可以与另一种罕见且容易被误解的电力破坏机制静电释放(ESD)进行比较。Figure.1清楚地显示了EOS和ESD的静电特性,而ESD短时间高压低电流特性(通常是电压500V,电流大于10A,纳秒再次发生的时间)则是EOS的特殊情况。Figure.1EOSVersusESDTable.1EOS与ESD比较EOS有很多原因,主要是上下游过渡过程、电流洪水泛滥、电压电流驱动过度(经常说的段落)。

一般来说,破损都是由机构短路引起的,破损有三种类型。Figure.2PN节通过Figure.3金属层溶解Figure.4金属线,考虑到EOS的原因和特点,成熟的系统企业通常使用以下防水方式:创建并标准化工作流,执行典型的交流电源线监控。

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